Ученые создали гибридные нанопровода

Команда ученых Венского технологического университета, Центра Гемгольца в Дрездене и специалисты Университета Марии Кюри-Склодовской смогли разместить полупроводниковые кристаллы в кремниевой нанопроволоке. Новая технология получения гибридных

Команда ученых Венского технологического университета, Центра Гемгольца в Дрездене и специалисты Университета Марии Кюри-Склодовской смогли разместить полупроводниковые кристаллы в кремниевой нанопроволоке.

Новая технология получения гибридных нанопроводов позволяет создавать быстрые и многофункциональные устройства, которые могут быть размещены в одном кристалле. До сих пор исследования в нано-оптоэлектронике сталкивались с проблемами: электронные компоненты должны быть размещены на очень маленьких пространствах. С другой стороны, сложные полупроводники необходимо размещать в обычных материалах. Международная группа ученых сделала огромный рывок в преодолении таких проблем. Они смогли интегрировать сложные полупроводниковые кристаллы, из арсенида индия (InAs) в кремниевые нанопровода, идеально подходящие для построения компактных чипов.

Для осуществления технологического прорыва, исследователи использовали синтезированный пучок ионов и термообработку ксеноновыми лампами-вспышками. Первоначально ученые ввели нужное количество атомов, с помощью ионной имплантации, а затем провели отжиг кремниевых проводов в течение 20 миллисекунд.